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    公司新聞

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    ITO面電阻

    發布時間:2014-08-20

    ITO膜導電性能采用的指標是方塊電阻,用R表示。

     RITO的體電阻率及ITO膜厚有關。

    如下圖是電流平行經過ITO膜層的情形。圖中,d為膜厚;I為電流;L1為膜層在電流方向上的長度;L2為膜層在垂直電流方向的長度。

    L2

    L1

    I

    d

     

     

     

     


     

     

    當電流流過上圖所示的方形導電膜層時,該層的電阻為: 

     


    R

    =

    d

    ρ

    式中,p為導電膜的體電阻率。對于給定的膜厚層,pd可以認為是不變的定值,當L1=L2時,即為正方形的膜層,無論方塊大小如何,其電阻均為定值p/d,這就是方塊電阻的定義,即

    R=ρxxx

    L1

    dL2

     

     


    式中,R單位為:(Ω/)

     方塊電阻通常用四探針測試儀來測定。 

     

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